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低功耗的双向瞬态电压抑制器件[实用新型专利]
来源：锐游网
专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：低功耗的双向瞬态电压抑制器件专利类型：实用新型专利发明人：管国栋,孙玉华申请号：CN201420191762.X申请日：20140418公开号：CN203895453U公开日：20141022
摘要：本实用新型公开一种低功耗的双向瞬态电压抑制器件，包括具有第一重掺杂N型区、重掺杂P型区和第二重掺杂N型区的P型单晶硅片，重掺杂P型区与第一重掺杂N型区接触的区域且靠位于重掺杂P型区边缘的四周区域具有第一轻掺杂N型区，此第一轻掺杂N型区的上表面与第一重掺杂N型区的下表面接触，此第一轻掺杂N型区的外侧面与第一沟槽接触；所述重掺杂P型区与第二重掺杂N型区接触的区域且靠位于重掺杂P型区边缘的四周区域具有第二轻掺杂N型区。本实用新型瞬态电压抑制器件在低压隧道击穿模式下，降低漏电流中来自表面的漏电流，大大降低整个器件的反向漏电流，从而进一步降低了功耗，避免了器件的局部温升，提高了电路稳定性和可靠性。
申请人：苏州固锝电子股份有限公司
地址：215153 江苏省苏州市新区通安经济开发区通锡路31号
国籍：CN
代理机构：苏州创元专利商标事务所有限公司
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