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8n60场效应管的参数
来源：锐游网
8n60场效应管的参数
8N60场效应管（Field Effect Transistor，FET）是由半导体制成的可控硅器件，也是基于场效应的开关，可改变信号的强度。它由控制电极（也称为栅极）、栅极-源极和源极-漏极3部分组成。8N60对于研究者和工程师来说是一款非常有价值的产品，因为它不仅具有非常低的漏电流和极低的上升时间，而且可以提供比封装的组件更高的速度。 8n60的参数主要有VDs(漏极对源极的电压)、VGS（栅极对源极的电压）、ID（漏极电流）、TJ（结温）等基本参数，还有其它参数，如测试条件、开关电流最大值、最大模拟电流、温度特性、输入电阻、输出电阻等。
8N60的Vds最大值约为60V，Vgs最大值可达20V，Id最大值为8A，Tj最大值可达150℃。此外，8N60测试条件是Vds=25V，Vgs=2.5V，Id=1A，Tj=25℃。
此外，8N60还具有良好的热特性，其分钟最大电流最大值为120A，并带有膜层，其可以有效的防止泄漏电流的出现，使得8N60可以适配于高功率应用环境。
8N60主要用于供电电路和汽车电子系统等，由于其具备优异的功率特性、低功耗特性和快速响应特性，使其成为高频放大和电子器件功率元件的理想之选。同时，8N60在汽车和电力设备的应用也日益增加，因为它的稳定性和耐压强度良好。
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