用于信号放大器的二阶补偿带隙基准电路

（12）发明专利说明

（21）申请号 CN201710443246.X （22）申请日 2017.06.13

（71）申请人 成都芯进电子有限公司

地址 610000 四川省成都市高新区(西区)天辰路88号3号楼2单元401室

（10）申请公布号 CN107092297B

（43）申请公布日 2019.04.16

书

（72）发明人 赵翔;陈忠志;彭卓

（74）专利代理机构 成都行之专利代理事务所(普通合伙)

代理人 郭受刚

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（）发明名称

用于信号放大器的二阶补偿带隙基准电路

（57）摘要

本发明公开了用于信号放大器的二阶补偿

带隙基准电路，包括PMOS电流镜、VBG生成模块、正温度系数电压差生成模块、以及具有NPN三极管输入对的放大器，其中，正温度系数电压差生成模块包括两条NPN三极管串联支路，VBG生成模块和两条NPN三极管串联支路均与PMOS电流镜连接，放大器的两个输入端一一对应的连接于两条NPN三极管串联支路与PMOS电流镜之间的线路上，放大器设有为其内NPN三极管发射极镜

像供电的NMOS电流镜，放大器的两个输入端为放大器中NPN三极管基极构成。本发明应用时能提供准确的电压和电流，并能实现全温度范围恒定的增益。

法律状态

法律状态公告日

2017-08-25 2017-08-25 2017-08-25 2017-09-19 2017-09-19 2019-04-16

法律状态信息

公开 公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

法律状态

公开 公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

权利要求说明书

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说明书

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