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一种单晶提拉炉热场结构[发明专利]
来源：锐游网
专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：一种单晶提拉炉热场结构专利类型：发明专利发明人：邓先亮
申请号：CN201710356903.7申请日：20170519公开号：CN108950677A公开日：20181207
摘要：本发明提供一种单晶提拉炉热场结构，所述单晶提拉炉热场结构包括：炉体；位于所述炉体内的坩埚；位于所述坩埚侧面的第一加热器；位于所述坩埚底部的第二加热器；以及位于所述坩埚内熔体上方的第三加热器。通过本发明所述的单晶提拉炉热场结构，解决了现有单晶提拉炉热场结构制备的硅单晶存在质量不均匀的问题。
申请人：上海新昇半导体科技有限公司
地址：201306 上海市浦东新区泥城镇新城路2号24幢C1350室
国籍：CN
代理机构：上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人：余明伟
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