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半导体封装中的CTE适配[发明专利]
来源：锐游网
专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：半导体封装中的CTE适配专利类型：发明专利
发明人：T.迈耶,G.奥夫纳,S.施特克尔申请号：CN201310225207.4申请日：20130607公开号：CN103489850A公开日：20140101
摘要：本发明涉及半导体封装中的CTE适配。提出了一种诸如晶片级封装（WLP）器件之类的器件，其中，电介质层被布置在半导体器件的表面和重分布层（RDL）的表面之间。所述电介质层可以具有延伸穿过电介质层的至少一个互连。所述电介质层可以具有垂直于半导体器件的表面的方向上的小于阈值的热膨胀系数（CTE）值，以及大于另一个阈值的杨氏模量。所述电介质层在平行于半导体器件的表面的方向上在面对RDL的电介质层的表面处可以具有大于另一个阈值的CTE值。
申请人：英特尔移动通信有限责任公司
地址：德国诺伊比贝格
国籍：DE
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
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