专利名称:霍尔元件芯片及其制作方法专利类型:发明专利
发明人:王广才,王静,李菁,欧琳申请号:CN2019107303.4申请日:20190808公开号:CN1104103A公开日:20191105
摘要:本发明公开了一种霍尔元件芯片及其制作方法,采用铝电极以及过渡层的结构和锑化铟薄膜形成欧姆接触,相对于采用金电极的现有技术方案,大大降低了金属电极材料的成本。另外,金电极需要金丝球超声波压焊工艺,金的熔点较高,需要将霍尔元件芯片置于惰性气体保护环境中加热,然后完成打线工艺,而本发明技术方案中铝电极可以在常温和空气中通过铝超声波压焊机完成打线工艺,以实现和框架的电连接,无需高温条件以及惰性气体保护环境,制作工艺简单,进一步降低了制作成本。
申请人:南开大学
地址:300073 天津市南开区卫津路94号
国籍:CN
代理机构:北京集佳知识产权代理有限公司
代理人:张静
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