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一种GaN基级联型功率器件及其制备方法[发明专利]

来源:锐游网
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:一种GaN基级联型功率器件及其制备方法专利类型:发明专利

发明人:王洪,武智斌,周泉斌,高升申请号:CN201910928826.7申请日:20190928公开号:CN110556366A公开日:20191210

摘要:本发明公开了一种GaN基级联型功率器件及其制备方法,功率器件包括引脚框架,所述引脚框架包括基岛,与基岛相连的栅极电极引脚、源极电极引脚和漏极电极引脚;基岛的上表面连接PCB板,所述PCB板上表面设有第一凹槽和第二凹槽,第一凹槽的上表面设有凹槽焊盘,凹槽焊盘的上表面连接硅基器件,第二凹槽的上表面连接GaN功率器件;PCB板上表面设有焊盘,硅基器件与焊盘电气连接,焊盘与栅极电极引脚电气连接,GaN功率器件分别与焊盘和漏极电极引脚电气连接;PCB板上表面还设有通孔,硅基器件与GaN功率器件分别和通孔电气连接。GaN基级联型功率器件的制备工艺简单、易于实现、散热性能好。

申请人:华南理工大学

地址:5100 广东省广州市天河区五山路381号

国籍:CN

代理机构:广州粤高专利商标代理有限公司

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