一种GaN基级联型功率器件及其制备方法[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种GaN基级联型功率器件及其制备方法专利类型：发明专利

发明人：王洪,武智斌,周泉斌,高升申请号：CN201910928826.7申请日：20190928公开号：CN110556366A公开日：20191210

摘要：本发明公开了一种GaN基级联型功率器件及其制备方法，功率器件包括引脚框架，所述引脚框架包括基岛，与基岛相连的栅极电极引脚、源极电极引脚和漏极电极引脚；基岛的上表面连接PCB板，所述PCB板上表面设有第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽的上表面设有凹槽焊盘，凹槽焊盘的上表面连接硅基器件，第二凹槽的上表面连接GaN功率器件；PCB板上表面设有焊盘，硅基器件与焊盘电气连接，焊盘与栅极电极引脚电气连接，GaN功率器件分别与焊盘和漏极电极引脚电气连接；PCB板上表面还设有通孔，硅基器件与GaN功率器件分别和通孔电气连接。GaN基级联型功率器件的制备工艺简单、易于实现、散热性能好。

申请人：华南理工大学

地址：5100 广东省广州市天河区五山路381号

国籍：CN

代理机构：广州粤高专利商标代理有限公司

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