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一种GaN-HEMT芯片
来源：锐游网
（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）实用新型专利
（21）申请号 CN201721771011.5 （22）申请日 2017.12.18
（71）申请人 山东聚芯光电科技有限公司
地址 257091 山东省东营市东营区东四路1号光电大楼
（10）申请公布号 CN207517699U
（43）申请公布日 2018.06.19
（72）发明人 闫稳玉;吴伟东;张薇葭;王占伟;刘双昭;王旭东;赵利 （74）专利代理机构 山东济南齐鲁科技专利事务所有限公司
代理人 郑向群
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
一种GaN-HEMT芯片
（57）摘要
本实用新型提供一种GaN‑HEMT芯片，其
中所述的衬底的上部为氮化镓缓冲层，氮化镓缓冲层的上部为氮化镓外延层，最上方为氮化镓铝层，二维电子气（2DEG）层位于氮化镓铝层和氮化镓外延层之间，S、D、G极通过金属沉淀的方式固定于氮化镓铝层顶部；优点为：本实用新型有效降低芯片电阻，增加低功率模式下附加功率效率，提高芯片可靠性，同时，缩小了芯片体积，有利于减少了电路面积。
法律状态
法律状态公告日
2018-06-19
授权
法律状态信息
授权
法律状态
权利要求说明书
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说明书
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