覆铜氮化硅陶瓷基板及其制备方法[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：覆铜氮化硅陶瓷基板及其制备方法专利类型：发明专利

发明人：李德善,朴贤卿,竹子川,蔡亚果,高维申请号：CN201910132532.3申请日：20190222公开号：CN109734470A公开日：20190510

摘要：本发明提供一种覆铜氮化硅陶瓷基板及其制备方法，该方法主要包括制备溶胶前驱体‑凝胶涂布‑热处理‑DBC法制备(铜氧化处理)四个步骤形成覆铜氮化硅陶瓷基板。通过预先在氮化硅陶瓷表面用溶胶凝胶法生成薄的二氧化硅层，再通过直接覆铜工艺进行覆铜处理实现氮化硅陶瓷基板的金属化，该工艺实现工艺简单且成本低，另外二氧化硅层在烧结时，会在结合界面形成密度致密且均匀的铜‑硅‑氧‑氮的化合物，提高铜与氮化硅陶瓷基板的结合强度及抗热冲击疲劳性能。

申请人：上海产业技术研究院

地址：201203 上海市浦东新区科苑路1278号

国籍：CN

代理机构：上海光华专利事务所(普通合伙)

代理人：余明伟

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