150A1200V西门子TGBT 和150A1200V富士IGBT

实验项目: 150A1200V西门子TGBT (FF150R12KS4)和150A1200V富士IGBT(2MBI150U4H-120)对比性实验. 实验目的：富士IGBT代替西门子TGBT 实验条件： 在环境温度为22.5度下进行 实验仪器（表）： 数显温度计`数字万用表`DC稳压电源` ZX7 500D焊机。 实验方法： 将150A1200V西门子TGBT 和150A1200V富士IGBT 先后装上同一台 ZX7 500D焊机上同一位置进行烤机,在机器输出400A电流30V电压的状态下用数字温度计观察IGBT的温度变化, 实验内容及结果: 1.在给IGBT焊接PKB-15-A的小驱动板时发现富士IGBT的E1和E2两引脚间距稍宽(1.75mm) 小驱动板的 E1和E2孔间距为1.54mm,造成安装小驱动板困难. 2.烤机前150A1200V西门子TGBT 和150A1200V富士IGBT的压降 西门子TGBT的压降 富士IGBT的压降 接入100A15V时 3．243V 1．891V 接入150A15V时 4．125V 2．233V 烤机过程中IGBT温度变化明细表和温度变化与时间的关系图见附页. 实验人： 莫绍偶 日期：2007.12.26

RI-YF-QR -017 A/0

深圳市瑞凌实业实验报告表附页

1.烤机过程中IGBT的温度随时间的变化数据明细表: 西门子 IGBT 2分钟 4分钟 6分钟 8分钟 10分 12分 14分 16分 18分 20分 22分 24分 22.8℃ 49.6℃ 58.8℃ 63.3℃ 66.1℃ 67.6℃ 68.0℃ 68.6℃ 69.0℃ 69.2℃ 69.0℃ 69.0℃ 富士 IGBT 22.8℃ 50.9℃ 61.5℃ 66.9℃ 69.3℃ 70.2℃ 71.3℃ 71.8℃ 71.7℃ 71.8℃ 71.8℃ 71.8℃

2.烤机过程中IGBT的温度随时间的变化关系图

℃

实验人： 莫绍偶 日期：2007.12.26