专利名称:纳米二氧化硅的制备方法及表面改性方法专利类型:发明专利
发明人:杨威,严顺洪,肖立鲜,陈敏,黎超申请号:CN202010440565.7申请日:20200522公开号:CN111422877A公开日:20200717
摘要:本发明属于纳米材料技术领域,特别涉及纳米二氧化硅的制备方法及表面改性方法。制备方法包括以下步骤:向含有水和氨的醇类物质中加入正硅酸乙酯得到反应体系,反应体系进行反应,得到含有纳米二氧化硅的分散液。本发明制备方法通过调整水浓度、氨浓度和/或反应温度等,能够得到不同粒径的纳米二氧化硅。表面改性方法包括以下步骤:纳米二氧化硅分散液中加入甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷,常温下反应,然后升温继续反应,得到改性的纳米二氧化硅分散液。本发明改性方法能够对纳米二氧化硅进行改性,具有良好的效果。
申请人:十九冶成都建设有限公司,中国十九冶集团有限公司
地址:610091 四川省成都市青羊区敬业路218号10栋
国籍:CN
代理机构:成都虹桥专利事务所(普通合伙)
代理人:张小丽
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