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紫外光发光二极管[实用新型专利]
来源：锐游网
专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：紫外光发光二极管专利类型：实用新型专利发明人：韩昌锡,李阿兰车,金华睦申请号：CN201520559951.2申请日：20150729公开号：CN205004348U公开日：20160127
摘要：提供了一种具有改善的内部量子效率的紫外光发光二极管。该紫外光发光二极管包括：包括AlGaN层或AlInGaN层的n型接触层；包括AlGaN层或AlInGaN层的p型接触层；以及具有多量子阱结构的有源区，其中有源区包括以交替的方式彼此堆叠的阱层和阻挡层，且阱层包括根据其概率分布函数存在的电子和空穴。阻挡层中的至少一个具有比阱层之一更小的厚度；阻挡层中的至少一个的厚度和带隙防止注入到与阻挡层相邻的阱层中的且限制在该阱层中的电子和空穴扩散到另一相邻的阱层中，从而降低UV光发光二极管的驱动电压，同时改善内部量子效率。
申请人：首尔伟傲世有限公司
地址：韩国京畿道安山市
国籍：KR
代理机构：北京铭硕知识产权代理有限公司
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