一种LED芯片的电极结构及包含其的LED芯片结构[实用新型专利]
来源：锐游网
专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：一种LED芯片的电极结构及包含其的LED芯片结构专利类型：实用新型专利
发明人：姚禹,许亚兵,戚运东,罗正加申请号：CN201020515951.X申请日：20100903公开号：CN201812849U公开日：20110427
摘要：本实用新型公开了一种LED芯片的电极结构，包括：N型电极和P型电极，N型电极包括：边缘电极，设置在芯片边缘，边缘电极包括相互平行的两条第一边缘电极，以及连接在两条第一边缘电极之间的第二边缘电极；中心电极，连接在第二边缘电极的中心，平行于第一边缘电极设置；定位电极，包括：连接在第一边缘电极上，并平行于第二边缘电极设置的第一定位电极，以及连接在中心电极上，并平行于第一定位电极设置的第二定位电极；P型电极的结构配置为与第一定位电极和第二定位电极保持预定距离，在第一定位电极和第二定位电极之间延伸。该结构通过改变N型电极与P型电极之间的排布结构，使电流传递更为稳定、以达到更好的电流扩散性，避免电流聚集效应的产生。
申请人：湘能华磊光电股份有限公司
地址：410007 湖南省郴州市有色金属产业园
国籍：CN
代理机构：北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人：吴贵明
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