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纳米晶立方氮化硼薄膜及其制备方法[发明专利]
来源：锐游网
专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：纳米晶立方氮化硼薄膜及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：赵永年,邹广田,何志,王波申请号：CN98104978.8申请日：19980121公开号：CN1197847A公开日：19981104
摘要：本发明的纳米晶立方氮化硼薄膜及制备方法属一种薄膜材料和物理气相沉积的方法。立方氮化硼膜(3)直接沉积在硅片衬底(1)上,中间没有过渡层,平均晶粒尺度为4～10nm。利用镀膜装置,采用射频磁控溅射工艺,严格控制氩气和氮气体积比及总压强,衬底(1)上的偏压在－(400～200)V范围逐段升高,温度控制在400～500℃范围。本发明设备及工艺简单,成本低,制备的薄膜晶粒尺度小、结晶好、整体纯度高,不爆裂,适于实际应用。
申请人：吉林大学
地址：130023 吉林省长春市解放大路123号
国籍：CN
代理机构：吉林大学专利事务所
代理人：王恩远
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