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一种太阳能电池制备方法及半导体结构[发明专利]

来源:锐游网
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:一种太阳能电池制备方法及半导体结构专利类型:发明专利

发明人:杨睿,金井升,侯乾坤,张昕宇申请号:CN202110391310.0申请日:20210413公开号:CN112802926A公开日:20210514

摘要:本申请实施例涉及光伏新能源领域,特别涉及一种太阳能电池制备方法及半导体结构,其中,太阳能电池制备方法包括:在基底的正面制绒;对正面进行扩散处理以形成掺杂层;在基底的背面形成钝化层;在钝化层远离基底的一面形成掩膜层,其中,掩膜层包括可挥发性材料;在掩膜层远离钝化层的一面印刷导电浆料;加热导电浆料以使导电浆料形成电极,其中,在加热过程中,掩膜层至少部分挥发;本申请实施例提供的太阳能电池制备方法及半导体结构,减少了导电浆料入侵基底或太阳能电池的其他结构的深度,在太阳能电池使用时,可减少复合损失,从而提升太阳能电池效率。

申请人:浙江晶科能源有限公司

地址:314416 浙江省嘉兴市海宁市袁花镇袁溪路58号

国籍:CN

代理机构:上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人:成丽杰

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