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一种制备多孔硅基质子交换膜的方法[发明专利]
来源：锐游网
专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：一种制备多孔硅基质子交换膜的方法专利类型：发明专利
发明人：王晓红,王玫,李剑楠,刘理天申请号：CN201210484580.7申请日：20121123公开号：CN102983344A公开日：20130320
摘要：本发明公开一种制备多孔硅基质子交换膜的方法，所述方法包括三个步骤：1）多孔硅膜的亲水化，利用硫酸和双氧水处理多孔硅膜，使其侧壁上嫁接足够多的羟基；2）硅烷偶联剂的嫁接，利用缩合反应把硅烷偶联剂嫁接在多孔硅的侧壁，作为磺酸基的骨架；3）磺化，利用硝酸氧化硅烷偶联剂末端的巯基，使其氧化成为磺酸基。
申请人：清华大学
地址：100084 北京市海淀区100084-82信箱
国籍：CN
代理机构：北京众合诚成知识产权代理有限公司
代理人：薄观玖
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