专利名称：基于磁场检测的双通道电流传感器结构专利类型：发明专利发明人：黄海滨,殷晓宇,杨超申请号：CN201811620680.1申请日：20181228公开号：CN109387681A公开日：20190226
摘要：本发明涉及电流传感器技术领域，具体为一种基于磁场检测的双通道电流传感器结构，其能够有效地抑制相邻通道的磁干扰，提高检测精度；其包括带U形凹槽的导体，其特征在于，导体包括两个且对称布置，一个导体内侧的U形凹槽开口内垂直映射到上层位置处设置有一个第一内侧霍尔器件、外侧垂直映射到上层位置处设置有第一外侧霍尔器件，另一个导体内侧的U形凹槽开口内垂直映射到上层位置处设置有一个第二内侧霍尔器件、外侧垂直映射到上层位置处设置有第二外侧霍尔器件，第一内侧霍尔器件到第二内侧霍尔器件、第二外侧霍尔器件的直线距离相等，第二内侧霍尔器件到第一内侧霍尔器件、第一外侧霍尔器件的直线距离相等。
申请人：无锡思泰迪半导体有限公司
地址：214028 江苏省无锡市新吴区长江路16号
国籍：CN
代理机构：无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙)
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