硅控整流器[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：硅控整流器专利类型：发明专利

发明人：洪崇佑,李建兴,高字成,黄宗义申请号：CN201410169180.6申请日：20140424公开号：CN105023913A公开日：20151104

摘要：本发明提出一种硅控整流器，其包含：基板；设置于基板的第一侧且彼此相邻的N井区和P井区；设置于N井区的上表面且彼此相邻的第一N型掺杂区和第一P型掺杂区；设置于P井区的上表面的第二N型掺杂区和第二P型掺杂区；隔离第一P型掺杂区与第二N型掺杂区的第一氧化隔离区；隔离第二N型掺杂区与第二P型掺杂区的第二氧化隔离区；耦接于第一N型掺杂区与第一P型掺杂区的阳极端；以及耦接于第二N型掺杂区与第二P型掺杂区的阴极端。第一P型掺杂区的离子掺杂浓度低于第二P型掺杂区的离子掺杂浓度的百分之八十。上述硅控整流器的架构在无需增加信道长度和使用额外辅助电路的情况下，便能有效提高硅控整流器的保持电压。

申请人：立锜科技股份有限公司

地址：中国新竹县竹北市台元一街8号14楼之1

国籍：CN

代理机构：北京国昊天诚知识产权代理有限公司

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