一种中频磁控溅射法制备纳米硅薄膜的方法及其专用装置

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（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利说明书

（21）申请号 CN201110184004.6 （22）申请日 2011.07.01

（71）申请人中国科学院金属研究所

地址 110016 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号

（10）申请公布号 CN102817004B

（43）申请公布日 2014.02.05

（72）发明人肖金泉;高俊华;闻立时;张林;石南林;宫骏;孙超（74）专利代理机构沈阳科苑专利商标代理有限公司

代理人周秀梅

（51）Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

（54）发明名称

一种中频磁控溅射法制备纳米硅薄膜的方法及其专用装置

（57）摘要

本发明涉及硅薄膜材料的制备领域，

具体的说是一种中频磁控溅射法制备纳米硅薄膜的方法及其专用装置。利用中频磁控溅射法，采用中频电源激发等离子体来溅射与外加电磁线圈形成耦合磁场的非平衡态孪生磁控硅靶，在基体上沉积纳米硅薄，采用真空泵组，将真空室内真空抽至10 法律状态

法律状态公告日

2012-12-12 2013-01-30

公开

实质审查的生效

法律状态信息

公开

法律状态

实质审查的生效

法律状态公告日

2014-02-05 2015-08-26

授权

法律状态信息

授权

专利权的终止

法律状态

专利权的终止

权利要求说明书

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说明书

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