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具有纳米线接触点的半导体元件及其制备方法[发明专利]
来源：锐游网
专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：具有纳米线接触点的半导体元件及其制备方法专利类型：发明专利发明人：卢立翰
申请号：CN202010690808.2申请日：20200717公开号：CN112582416A公开日：20210330
摘要：本公开提供一种具有纳米线接触点的半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一基底，该基底具有多个掺杂区；多个硅化物垫，分别设置在该多个掺杂区上；以及多个导电接触点，分别设置在该多个硅化物垫上。该多个导电接触点包括多个纳米线、一导电衬垫以及一导体，该导电衬垫设置在该多个纳米线上，该导体设置在该导电衬垫上。
申请人：南亚科技股份有限公司
地址：中国台湾新北市
国籍：CN
代理机构：隆天知识产权代理有限公司
代理人：黄艳
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