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一种降低铸造多晶硅碳含量的装置[实用新型专利]
来源：锐游网
专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：一种降低铸造多晶硅碳含量的装置专利类型：实用新型专利
发明人：郑志东,彭春球,刘文涛,陈俊波申请号：CN201020626566.2申请日：20101126公开号：CN201971920U公开日：20110914
摘要：本实用新型属于晶体生长装置技术领域，具体涉及一种降低铸造多晶硅碳含量的装置，用于改变ALD多晶炉内气流场，控制硅锭中杂质碳含量。其特征在于所述装置包括设置于坩埚上方的架空机构。安装本实用新型后，通过调节炉内压力及顶部氩气流量，可以促进杂质的挥发和排除，有效控制硅锭中的碳含量，使硅片质量大大提高从而提高产品的竞争力，本实用新型同时还具有良好的可控性及操作方便等特点。
申请人：浙江昱辉阳光能源有限公司
地址：314117 浙江省嘉兴市嘉善县姚庄镇益群路8号
国籍：CN
代理机构：浙江杭州金通专利事务所有限公司
代理人：徐关寿
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