半导体芯片的制造方法

（12）发明专利说明书

（21）申请号 CN200480017891.6 （22）申请日 2004.06.24

（71）申请人 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司

地址 德国雷根斯堡

（10）申请公布号 CN100492610C

（43）申请公布日 2009.05.27

（72）发明人 格奥尔格·布吕德勒;贝特霍尔德·哈恩;福尔克尔·黑勒 （74）专利代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司

代理人 章社杲

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

半导体芯片的制造方法

（57）摘要

一种多个半导体芯片的制造方法，特

别是产生辐射的半导体芯片的制造方法，其中每个半导体芯片各具有至少一个外延制造的功能半导体层堆叠，该方法包括下列工艺步骤：提供生长基底晶圆(1)，其基本上包括与那些作为功能半导体层堆叠的半导体层序列的基础的半导体材料系统具有相同或者相似晶格参数的半导体材料系统中的半导体材料；在生长基底晶圆(1)中形成平行于生长基底晶圆(1)的主面(100)的分离区(4)；将生长基底晶圆(1)与辅助载体晶圆(2)结合；沿着

分离区(4)，将从所述分离区(4)看背离辅助载体晶圆(2)的生长基底晶圆(1)的部分(11)分离；在生长基底晶圆上的残留在辅助载体晶圆(2)上的部分(12)上形成生长面，用于后续的半导体层序列的外延生长；在生长面上外延生长半导体层序列(5)；在半导体层序列上安置芯片基底晶圆；分离辅助载体晶圆(2)，以及将半导体层序列和芯片基底晶圆(7)的结合体分离为相互分开的半导体芯片。 法律状态

法律状态公告日

法律状态信息

2006-08-02 公开 2006-08-02 公开

2006-09-27 实质审查的生效 2006-09-27 实质审查的生效 2009-05-27 授权 2009-05-27 授权 2020-06-23

专利权的终止

法律状态

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权 授权 专利权的终止

权利要求说明书

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说明书

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